日前美光公司在新加坡举行了Fab 10A工厂启用庆典，包含美光CEO Sanjay Mehrotra在内的高层及合作伙伴、供货商、经销商等500多人参加了活动。
除了美国本乡之外，美光公司在新加坡有编号Fab 10的NAND工厂，2016年又在新加坡成立了NAND杰出中心，又扩建了Fab 10晶圆厂的出产能力，新盖了无尘室等出产设备，提高了Fab 10晶圆厂的出产灵活性。
不过在现在NAND闪存价格持续下滑的情况下，美光尽管扩建了新加坡的Fab 10A工厂，但并不计划增产NAND，经过本钱开支调整、技能转化等方法，Fab 10厂区的总产能不变。
美光CEO Sanjay Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的改变，现在96层仓库的3D闪存现已量产，而在第四代3D闪存上会有严重改变，128层仓库闪存将会从此前的FG浮栅极技能转向RG替换栅极技能。
在2D闪存年代，各大厂商基本上都是以FG浮栅极技能为主，转向3D闪存之后三星首先使用了CTP电荷圈套技能，其他厂商也连续跟进，只要美光、Intel有所不同，两边在3D闪存技能发展上也产生了不合，传闻这便是两家公司在96层仓库3D闪存之后决议分手、相互独立研制出产的要害，Intel会持续坚持浮栅极。
在美光之外，其他家闪存厂现在没有传闻选用RG可替换栅极技能的。
